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      2. EN

        M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件

        產品特性:

        采用Trench+Fieldstop技術;

        軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低;

        低飽和壓降,導通損耗小;

        關斷拖尾電流小,軟關斷特性;

        正溫度系數,適合并聯;

        高的短路電流能力(6us以上);

        開關速度快,開關損耗小;

        TVj max 達175℃;

        Type VCES
        (V)
        IC nom
        (A)
        VCE (sat)
        (V)
        Ptot
        (W)
        Eoff
        (mJ)
        RthJC
        (℃/W)
        Packages PDF資料
        MM15GT120B 1200 15 1.85 230 0.9 0.65 TO-247 預覽     下載
        MM40G3T120B 1200 40 1.90 405 2.8 0.37 TO-247 預覽     下載
        MM25G3T120B 1200 25 1.8 306 1.8 0.49 TO-247 預覽     下載

        應用領域

        變頻器

        伺服驅動器

        不間斷電源

        光伏逆變器

        電動汽車

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